一、资讯导语9月23日，半导体行业媒体披露一组数据：受AI算力带动，光通信核心衬底材料磷化铟（InP）正迎来历史性需求爆发。英伟达预测2026至2030年全球InP晶圆需求将激增约20倍；2026年全球需求约260万至300万片（2英寸当量），而有效合规产能仅约75万片，缺口高达70%以上。这一缺口已直接卡住光模块与光芯片的产能释放，是当下光学产业链最值得关注的上游信号。 二、核心内容1. 需求侧：AI光互连刚性拉动 InP是高速光通信激光芯片（EML、DFB）和高端光模块不可替代的衬底。800G、1.6T模块放量，CPO、NPO向系统级跃迁，使InP从可选材料变成战略物资。英伟达的20倍需求预测并非单一产品迭代，而是光互连对高速传输性能的刚性依赖。 2. 供给侧：海外寡头垄断，国产加速 日本住友电工、美国AXT、日本JX金属合计占据全球90%以上InP衬底产能，高端6英寸市场几乎由住友独占。国内以云南锗业、光智科技为第一梯队快速扩产。光智科技已完成2英寸到6英寸三代晶体迭代，是国内首批推出6英寸InP衬底的厂家之一，并已获某全球头部客户6英寸订单。 3. 瓶颈：扩产与认证周期长达12至24个月 InP衬底供给弹性偏弱，产线扩产与客户认证周期长达12至24个月，决定了6英寸放量是渐进过程而非跳跃。叠加铟资源的伴生属性与出口管制、高纯红磷依赖海外、中游衬底寡头垄断、下游EML芯片短缺等多重约束，短期缺口难以快速填补。 4. 全球同步紧张，资本密集下注 海外链条同样吃紧：瑞典Sivers获3000万美元扩产InP激光器，Coherent持续拉升InP产能，Ayar Labs等CPO厂商密集融资。从衬底、外延到光芯片的IDM一体化模式（如先导科技集团布局高纯铟、高纯红磷、InP衬底、外延片、光芯片全链条）正成为头部企业卡位方向。 三、行业影响分析上游：具备6英寸量产与头部客户认证的企业进入量价齐升通道，议价权显著增强。 中游：光芯片（EML、CW DFB）与光模块厂面临原材料保供压力；具备IDM能力或锁定长协的厂商更易拿到产能，缺料可能成为2027年1.6T规模放量的实际约束。 下游：AI数据中心、智算中心建设节奏受上游材料牵制，光互连交付周期与价格存在继续上行压力。 四、总结展望InP缺口是AI光互连从电到光产业迁移中被忽视的关键瓶颈。未来1至2年，谁握有6英寸InP产能与稳定供给，谁就握有光模块放量的入场券。对从业者而言，关注具备衬底、外延、芯片一体化能力的国内厂商，以及上游材料保供与长协锁定进展，比追逐单款模块迭代更具确定性。 光联社 · 光学行业资讯（数据来源：今日半导体、财联社、OFweek、Optics.org 公开报道，截至2026-09-23）
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