产品:4寸BF33硼硅玻璃晶圆,总厚300μm,三级台阶结构:正面200μm盲刻台阶→同位置二次套刻再刻100μm形成贯通通孔→翻面背面套刻刻10μm浅台阶;
要求工艺:ICP-DRIE玻璃干法深刻蚀、铝金属硬掩膜、多次双面光刻套刻;不接受单纯HF湿法、SLE激光诱导湿法刻蚀;
指标:平面尺寸±5μm;200μm台阶深度±8μm,背面10μm台阶深度±2μm;可预置对准Mark匹配我方光刻机零位,掩膜同步由供方制作。
以下为技术要求:
客户问题如下: 1.后面量多的话 价格方面是否还能优惠 2.然后还有一个是零位对准匹配的问题,我们想和我们这边的光刻机零位做匹配 3.版图我们微调一下 随后再发一版 4.需要用你们做模板
联系电话: 联系时,请告知来自 光联社,否则不通过。
|