客户询单：
咨询双金属靶反应磁控共溅射SDC薄膜，我们的要求是基材为SOFC阳极支撑半电池，Ni‑YSZ/YSZ薄片，尺寸156 mm ×70 mm，脆性基材，升温降温速率需要控制，防止开裂（我们提供基材）。
采用金属钐靶、金属铈靶双靶RF共溅射（可提供金属靶），Ar+O₂反应氧化，目标组分Sm₀.₂Ce₀.₈O₂；边缘2–3 mm掩膜留白不镀膜。
膜厚目标800~1200 nm，膜厚均匀性±5%以内；
金属Sm靶+金属Ce靶反应磁控共溅射制备SDC薄膜工艺参数 金属Sm靶 + 金属Ce靶 反应磁控共溅射制备SDC薄膜 目标产物 SOFC YSZ电解质表面阻挡层 目标组分：Sm₀.₂Ce₀.₈O₂ 薄膜状态：致密、无孔洞、无柱状晶、低应力、可耐后续阴极高温烧结 基材：158×70 mm 大尺寸超薄YSZ基片（280 μm阳极支撑） 一、核心工艺 1. 双靶均使用RF溅射（金属靶反应溅射必须RF，防止靶材中毒、打火、组分漂移） 2. 采用 高氧分压弱氧化模式：保证金属充分氧化，不出现金属相夹杂 3. 通过 Sm/Ce功率比例锁定组分 4. 低温沉积 + 低沉积速率：适配大尺寸薄陶瓷片，杜绝翘曲、裂纹、内应力 二、工艺窗口 1. 真空环境 • 本底真空：≤ 8×10⁻⁴ Pa • 工作气压：0.8 ~ 1.2 Pa • 气氛：Ar + O₂ 混合气体 2. 气体配比 • Ar流量：80–100 sccm • O₂流量：12–18 sccm （氧含量必须充足，保证完全氧化，避免Ce³+残留造成漏电、高阻抗） 3. 靶功率配比 目标 Ce 80%、Sm 20% • Ce金属靶功率：180–220 W RF • Sm金属靶功率：45–60 W RF 4. 基底温度 • 沉积温度：室温~250℃，升温速率3℃/min • 禁止高温 ≥350℃：会产生界面应力、薄膜开裂、后续翘曲 5. 沉积速率与膜厚 • 整体沉积速率：0.6–1.0 nm/s • 沉积时间：25~45 min • 目标膜厚：1000 ~1500 nm • 整片不均匀性：≤ ±5%（五点测试：中心+四角） • 靶基距：90mm 6. 预溅射条件 • 预溅射时间：5–10 min • 作用：去除靶材表面氧化层、稳定起弧、保证起始组分一致 三、薄膜硬性质量要求 1. 薄膜完全氧化，无金属夹杂、无缺氧深色层 2. 断面致密、无贯穿孔洞、无粗大柱状晶 3. 薄膜与YSZ结合力优异，退火处理后不起皮、不开裂 4. 整片无应力色差、无翘曲诱导 5. 组分均匀：EDS测试 Sm/(Sm+Ce) = 20%±1.5% 6. XRD物相为单一萤石结构
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