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[代加工] 8英寸晶圆微纳加工,谁能做

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8英寸晶圆微纳加工,谁能做


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一、项目概述
无
二、采购需求一览表
序号
包件号
包件名称
服务名称
数量
合同履行期限
项目实施地点
1
1
8英寸晶圆加工
8英寸晶圆加工
1件
合同签订生效后5周内,按甲方进度要求分批交货;


三、具体需求或要求
★(一)、外协需求与技术指标
工艺
序号
样片种类
数量
加工需求
备注
湿法
1.1
8英寸硅晶圆
100
氧化2±0.2μm(干-湿-干-湿-干循环),光刻胶图形化(正胶厚≥2μm,版图#01)
Si晶圆厚度为725μm±25μm, N/P种类不限,单面抛光,晶向<100>
1.2
8英寸硅晶圆
10
光刻胶图形化(版图#01,正胶厚≥2μm),溅射Al 500±50nm(无需乙方剥离)
1.3
8英寸玻璃晶圆
10
光刻胶旋涂(正胶厚≥2μm)
玻璃晶圆厚度为700μm±50μm
1.4
8英寸玻璃晶圆
10
光刻胶图形化(版图#01,正胶厚≥2μm),溅射Al 500±50nm(无需乙方剥离)
干法刻蚀
2.1
8英寸硅晶圆
10
溅射2±0.2μm Cu,光刻胶图形化(版图#01,正胶厚3-5μm)
Si晶圆厚度为725μm±25μm, N/P种类不限,单面抛光,晶向<100>
2.2
8英寸硅晶圆
5
溅射1.5±0.2μm Au,光刻胶图形化(版图#01,正胶厚3-5μm)
2.3
8英寸硅晶圆
10
溅射2±0.2μm Al,光刻胶图形化(版图#01,正胶厚3-5μm)
2.4
8英寸硅晶圆
20
光刻胶图形化(版图#02,正胶厚2-3μm,倾角≥85°)
去胶
3.1
8英寸硅晶圆
10
光刻胶图形化(版图#01,正胶厚3-5μm )
光刻&
匀胶显影
4.1
8英寸硅晶圆
30
厚度200±25μm硅晶圆上做镂空结构(版图#03,需深硅刻蚀镂空20片,另交付10片未镂空的硅晶圆)
N/P种类不限,双面抛光,晶向<100>;镂空位置避开晶圆中心60mm以内及边缘30mm以内区域
4.2
8英寸硅晶圆
30
厚度725±25μm硅晶圆上做镂空结构(版图#03,需深硅刻蚀镂空20片,另交付10片未镂空的硅晶圆)
4.3
8英寸硅晶圆
30
厚度1000±30μm硅晶圆上做镂空结构(版图#03,需深硅刻蚀镂空20片,另交付10片未镂空的硅晶圆)
4.4
8英寸硅晶圆
30
厚度1500±30μm硅晶圆上做镂空结构(版图#03,需深硅刻蚀镂空20片,另交付10片未镂空的硅晶圆)
PE-
ALD
5.1
8英寸硅晶圆
30
加工TSV盲孔(宽30±1μm、深300±10μm,无需氧化硅和镀膜,刻蚀扇贝纹尺寸≤200nm)(版图#04)
Si晶圆厚度为725μm±25μm, N/P种类不限,单面抛光,晶向<100>
TSV-
PVD
6.1
8英寸硅晶圆
20
加工TSV盲孔(开口5±0.5μm,深度50±5μm)(版图#05)
6.2
8英寸硅晶圆
10
加工TSV盲孔(开口30±1μm,深度210±10μm)(版图#04)
6.3
8英寸硅晶圆
75
氧化200±10nm
TSV-电镀
7.1
8英寸硅晶圆
75
加工TSV盲孔(开口孔径30±1μm,深度200、250、300μm(其中20片200±10μm、20片250±10μm、35片≥300μm);依次沉积≥500nm SiO2、≥100nm Ti、1000-1500nm Cu(侧壁Ti≥20nm、Cu≥50nm)(其中深度300μm样片中有5片无需进一步沉积SiO2和金属,版图#04)
Si晶圆厚度为725μm±25μm, N/P种类不限,双面抛光,晶向<100>
RDL&
Bump
8.1
8英寸硅晶圆
120
沉积30nm Ti/500nm Cu(Ti≥30nm,Cu≥500 nm),完成光刻胶图形化(光刻胶为AZ 4620或相似种类光刻胶,其中30片胶厚10±1μm(RDL),90片胶厚20±1μm(Bump),版图#06)
湿法
9.1
8英寸硅晶圆
20
溅射或蒸镀Au,厚度≥100nm
Dummy片
9.2
8英寸硅晶圆
25
溅射或蒸镀Cr,厚度≥300nm
9.3
8英寸硅晶圆
25
溅射或蒸镀Ti,厚度≥100nm
9.4
8英寸硅晶圆
25
溅射或蒸镀TiW,厚度≥100nm
9.5
8英寸硅晶圆
25
溅射或蒸镀Al,厚度≥300nm
9.6
8英寸硅晶圆
25
溅射或蒸镀Cu,厚度≥300nm
9.7
8英寸硅晶圆
25
溅射或蒸镀Ni,厚度≥300nm
注:1、甲方提供版图:版图#01、版图#02、版图#03、版图#04、版图#05、版图#06(附后:共2页);甲方提供的版图在实际供货中可能会进行微调,根据微调后的版图制版和验收。
2、由乙方负责制版。
(二)、商务及其他要求:
★1、合同履行期限:合同签订生效后5周内,按甲方进度要求分批交货。
甲方进度要求安排如下:
1)、合同签订生效后2周内应至少完成“外协需求与技术指标”序号1.1(100片)、1.2(10片)、1.3(10片)、1.4(10片)、2.1(10片)、2.2(5片)、2.3(10片)、2.4(20片)、3.1(10片)、4.2(30片)、5.1(15片)、6.1(20片)、6.2(10片)、6.3(75片)、7.1(20片200μm)、9.1(20片)、9.2(25片)、9.3(25片)、9.4(25片)、9.5(25片)的晶圆交付;
2)、第2~5周内应完成剩余的晶圆交付,包含需求序号4.1(30片)、4.3(30片)、4.4(30片)、5.1(15片)、7.1(55片,其中20片250μm、35片300μm)、8.1(120片)、9.6(25片)、9.7(25片);
★2、包装要求:乙方在全部晶圆寄送过程中应使用真空包装,其中“外协需求与技术指标”序号7.1和8.1涉及的195片晶圆应对每一片分别真空包装;
★3、实施地点(交付地点):;
★4、验收要求:
序号
验收条目
合格判据
1
工艺方案报告(乙方于合同签订生效后1周内提供)
通过甲方评审
2
样片实物
根据甲方工艺需求和指标完成加工(外协需求与技术指标)
3
样片检测报告
乙方针对每项需求序号应抽检一片,提供样片检测报告,包含“外协需求与技术指标”涉及指标的测量结果

★5、付款方式:合同签订生效后支付合同总金额30%的款项;产品到货后,经甲方验收合格且形成验收报告后支付合同总金额70%款项;支付上述款项前乙方应向甲方提供相应金额的增值税专用发票;
★6、质保期:所有样片自甲方验收合格之日起6个月。
7、其它商务要求详见第六章合同草案。

注:
1、本章标注“★”条款不允许负偏离,任一条款负偏离视为不能满足采购项目最低要求,作无效响应处理。
2、本章中“甲方”指采购人,“乙方”指供应商。
★3、本项目不得提供美光公司产品(包括含有美光芯片的产品)。
★4、根据《关于在政府采购活动中对有关美国企业采取相关措施的通知》(财库〔2026〕10号)规定,本项目不得提供该通知中所列46家美国企业(不包括在华美资企业)生产的产品(含零部件及其他产品附属件)。


一、版图#01
Cell:
paste_1793600190482.png
最小重复单元:5000×5000um灰色方块,最小线宽:5000um,最小间距:38750um

二、版图#02
Cell :
paste_1793600207171.png
最小重复单元120×2.5um灰色线条,最小线宽:2.5um,最小间距:10um

三、版图#03
Cell:
paste_1793600220491.png
最小重复单元:10000×10000um灰色方块,最小线宽:10000um,最小间距:4645um

4、版图#04
Cell:
paste_1793600230707.png
TSV盲孔,直径30μm

五、版图#05
Cell:
paste_1793600243465.png
TSV盲孔,直径5μm

六、版图#06
Cell:
paste_1793600254521.png
RDL&Bump图案




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